一、芯片冷熱沖擊測(cè)試箱產(chǎn)品名稱三箱式冷熱沖擊試驗(yàn)機(jī)（風(fēng)冷式）

二、產(chǎn)品型號(hào)3AP-CJ-80A

三、控制儀表愛佩自主研發(fā)的7英寸超大觸摸AP-950可程序溫度控制器全觸摸屏控制器，觸摸屏輸入，根據(jù)客戶要求可任意設(shè)定不同高低溫沖擊溫度點(diǎn)，滿足做測(cè)試的不同需求.

四、設(shè)備用途廣泛用于電子電器零組件塑膠等行業(yè)、自動(dòng)化零部件、通訊組件、汽車配件、金屬、化學(xué)材料、塑料等行業(yè)，國(guó)防工業(yè)、航天、兵工業(yè)、BGA、PCB基扳、電子芯片IC、半導(dǎo)體陶磁及高分子材料之物理性變化進(jìn)行試驗(yàn),用來測(cè)試材料結(jié)構(gòu)或復(fù)合材料，在瞬間下經(jīng)*溫及極低溫的連續(xù)環(huán)境下所能忍受的程度，藉以在最短時(shí)間內(nèi)試驗(yàn)其熱脹冷縮所引起的化學(xué)變化或物理變化。

五、三箱特點(diǎn)1、三箱設(shè)備區(qū)分為高溫區(qū)、低溫區(qū)、測(cè)試區(qū)三部分，測(cè)試樣品*靜止于測(cè)試區(qū)。采用*之蓄熱、蓄冷結(jié)構(gòu)，強(qiáng)制冷熱風(fēng)路切換方式導(dǎo)入測(cè)試區(qū)，沖擊時(shí)高溫區(qū)或低溫區(qū)的溫度沖入測(cè)試區(qū)進(jìn)行沖擊,完成冷熱溫度沖擊測(cè)試。

2、可獨(dú)立設(shè)定高溫、低溫及冷熱沖擊三種不同條件之功能，執(zhí)行冷熱沖擊條件時(shí)，可選擇2箱或3箱之功能并具有高低溫試驗(yàn)機(jī)的功能,相比于2箱沖擊它還可選擇做常溫沖擊。

六、容積、尺寸和重量

6.1.內(nèi)容積80L

6.2.內(nèi)箱尺寸400*500*400mm   　 (W* H *D)

6.3.外型尺寸(約)1550*1850*1600mm   (W* H *D)

6.4.重  量約900㎏

七、芯片冷熱沖擊測(cè)試箱性能指標(biāo)

7.1.測(cè)試環(huán)境條件機(jī)器周圍環(huán)境溫度維持在+25~+30℃之間，相對(duì)濕度：≤85%；氣壓：86kPa～106kPa正常大氣壓力。

7.2.滿足標(biāo)準(zhǔn) .GB/T2423.1-2008 低溫試驗(yàn)方法Test method of low tempemture test

·GB/T2423.2-2008  高溫試驗(yàn)方法Test method of high temperature test

·GB/T2423.22-2012 溫度變化試驗(yàn)Test of temperature chantge

·GJB150.5-86溫度沖擊試驗(yàn)Test of temperature shock

·GJB360.7-87溫度沖擊試驗(yàn)Test of temperature shock

·GJB367.2-87溫度沖擊試驗(yàn)Test of temperature shock

·QC/T17-92、EIA364-32、IEC68-2-14等

7.3.測(cè)試室溫度范圍-40℃～+150 ℃ (風(fēng)冷式)

7.3.1.低溫沖擊范圍-10℃～-40 ℃  

7.3.2.高溫沖擊范圍60℃～150 ℃  

7.4.高溫室

7.4.1.預(yù)熱溫度范圍RT～+165℃

7.4.2.升溫時(shí)間

+50℃→+165 ≤30min

注：升溫時(shí)間為高溫室單獨(dú)運(yùn)轉(zhuǎn)時(shí)的性能

7.5.低溫室

7.5.1.預(yù)冷溫度范圍RT～-55℃

7.5.2.降溫時(shí)間+20℃ → -55℃≤約60min

注：降溫時(shí)間為低溫室單獨(dú)運(yùn)轉(zhuǎn)時(shí)的性能

7.6.試驗(yàn)室（試樣區(qū)）

7.6.1.試驗(yàn)方式采用*之蓄熱、蓄冷結(jié)構(gòu)，強(qiáng)制冷熱風(fēng)路切換方式導(dǎo)入測(cè)試區(qū)，沖擊時(shí)高溫區(qū)或低溫區(qū)的溫度沖入測(cè)試區(qū)進(jìn)行沖擊,完成冷熱溫度沖擊測(cè)試。

7.6.2.溫度波動(dòng)度±0.5℃

7.6.3.溫度偏差±2.0℃

7.6.5.溫度恢復(fù)時(shí)間3~5min；轉(zhuǎn)換溫度只需要≤10s（風(fēng)門開啟時(shí)間：5秒以內(nèi)）

7.7.沖擊暴露時(shí)間≥30min